真空電鍍技術
一.真空電鍍技術概述
真空電鍍技術初現于20世紀30年代，四五十年 始出現工業應用，工業化大規模生產開始於20實際80年代。在電子，宇航，包裝，裝潢，燙金印刷方面取得廣氾的應用。
真空電鍍是指在真空的環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料的表面（一般是非金屬材料)，屬於物理氣相沉積工藝（PVD），因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化（Vacuum Metallization, Vacuum Metallizing).作用有：
1.裝飾性：具有金屬的色彩和光澤度；
2.封閉性：可應用於醫藥，食品的外包裝方面，以此來延長產品的保質期；
3.導電性：消除靜電累積-Electrostatic discharge(ESD);防電磁干擾- Electromgnetic Interference(EMI)；防射頻干擾- Radio frequence Interference(RFI)。
二.真空電鍍技術種類
根據真空電鍍氣相金屬產生和沉積工藝，塑膠真空電鍍的方法主要分：
1.熱蒸發電鍍法-Thermal Evaporation Deposition;即蒸鍍。
真空蒸鍍膜是在0.013-0.0013Pa(0.0001-0.00001Torr)的真空環境中以電阻加熱鍍膜材料，使它在極短的時間內蒸發，蒸發了的鍍膜材料分子沉積在基材表面上形成鍍膜層。
機器主要設備有：
（1）真空鍍膜室；
（2）工作架；
鍍膜室的真空度，鍍膜材料的蒸發速度，蒸發距離和蒸發源的間距，以及基材表面狀態和溫度都是影響鍍膜層質量的只要因素。
真空蒸鍍法需要使金屬或金屬化合物蒸發氣化，加熱溫度不能太高，否則，氣相蒸鍍金屬會燒坏塑膠基材，一般僅適用於鋁等熔點較低的金屬源。
2.磁控濺鍍電鍍法-Sputtering。
磁控濺射法又稱高速低溫濺射法，目前磁控濺射法是在0.13Pa(0.001Torr）左右的真空中充入惰性氣體，並在塑膠基材（陽極）和金屬靶材（陰極）之間加上蒸壓直流電，由於輝光放電的電子激發惰性氣體，產生等離子體。等離子將金屬靶材的原子轟出，沉積在塑膠基材上。
磁空濺射法與熱蒸發相比，具有鍍層與基材的結合力強，鍍膜層緻密，均勻等優點。由於這種工藝採用的是利用高壓電磁場激發產生等離子體鍍膜物質，適用幾乎所有高熔點的金屬，合金和金屬化合物：鉻，鉬，鎢，鈦，銀，金等。而且它是一種強制性的沉積過程。成本較高。
3.電暈氣相沉積法（Arc Vapor Deposition）
4.化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition,CVD)
5.離子鍍(Ion Plating)
真空電鍍技術初現于20世紀30年代，四五十年 始出現工業應用，工業化大規模生產開始於20實際80年代。在電子，宇航，包裝，裝潢，燙金印刷方面取得廣氾的應用。
真空電鍍是指在真空的環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料的表面（一般是非金屬材料)，屬於物理氣相沉積工藝（PVD），因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化（Vacuum Metallization, Vacuum Metallizing).作用有：
1.裝飾性：具有金屬的色彩和光澤度；
2.封閉性：可應用於醫藥，食品的外包裝方面，以此來延長產品的保質期；
3.導電性：消除靜電累積-Electrostatic discharge(ESD);防電磁干擾- Electromgnetic Interference(EMI)；防射頻干擾- Radio frequence Interference(RFI)。
二.真空電鍍技術種類
根據真空電鍍氣相金屬產生和沉積工藝，塑膠真空電鍍的方法主要分：
1.熱蒸發電鍍法-Thermal Evaporation Deposition;即蒸鍍。
真空蒸鍍膜是在0.013-0.0013Pa(0.0001-0.00001Torr)的真空環境中以電阻加熱鍍膜材料，使它在極短的時間內蒸發，蒸發了的鍍膜材料分子沉積在基材表面上形成鍍膜層。
機器主要設備有：
（1）真空鍍膜室；
（2）工作架；
鍍膜室的真空度，鍍膜材料的蒸發速度，蒸發距離和蒸發源的間距，以及基材表面狀態和溫度都是影響鍍膜層質量的只要因素。
真空蒸鍍法需要使金屬或金屬化合物蒸發氣化，加熱溫度不能太高，否則，氣相蒸鍍金屬會燒坏塑膠基材，一般僅適用於鋁等熔點較低的金屬源。
2.磁控濺鍍電鍍法-Sputtering。
磁控濺射法又稱高速低溫濺射法，目前磁控濺射法是在0.13Pa(0.001Torr）左右的真空中充入惰性氣體，並在塑膠基材（陽極）和金屬靶材（陰極）之間加上蒸壓直流電，由於輝光放電的電子激發惰性氣體，產生等離子體。等離子將金屬靶材的原子轟出，沉積在塑膠基材上。
磁空濺射法與熱蒸發相比，具有鍍層與基材的結合力強，鍍膜層緻密，均勻等優點。由於這種工藝採用的是利用高壓電磁場激發產生等離子體鍍膜物質，適用幾乎所有高熔點的金屬，合金和金屬化合物：鉻，鉬，鎢，鈦，銀，金等。而且它是一種強制性的沉積過程。成本較高。
3.電暈氣相沉積法（Arc Vapor Deposition）
4.化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition,CVD)
5.離子鍍(Ion Plating)
